Infineon’s LDMOS-Technologie der nächsten Generation für Leistungsverstärker in Mobilfunknetzen

Von: Infineon  13.06.2006
Keywords: Elektrotechnik

San Francisco – 12. Juni 2006 – Infineon Technologies hat heute auf dem MTT International Microwave Symposium die nächste Generation seiner LDMOS-Technologie (Laterally Diffused Metal-Oxide Semiconductor) vorgestellt. Diese Technologie wird zur Herstellung hochleistungsfähiger RF-Transistoren (Radio Frequency) verwendet, die in Leistungsverstärkern für Funk-Basisstationen und -Repeater eingesetzt werden. Der neue Prozess deckt Frequenzbereiche drahtloser High-speed-Zugangsnetze ab, erreicht eine um 25 Prozent höhere Leistungsdichte und setzt eine neue Plastic Packaging-Technologie ein, welche die Gesamtsystemkosten senkt. Die Einführung der nächsten Generation des LDMOS-Prozesses unterstreicht das Engagement von Infineon im Bereich der RF-Schlüsseltechnologien für mobile Kommunikation. Die neue Prozesstechnik baut auf der umfassenden Erfahrung des Unternehmens bei der Bereitstellung von RF-Halbleiterlösungen auf, die Kostenvorteile und optimierte Performance sowie herausragende Qualität und Zuverlässigkeit für Entwickler von Systemen in drahtlosen Infrastrukturen bieten. 'Mit Produkten auf Basis des neuen Prozesses können Entwickler von Leistungsverstärkern ihre kompakten und hocheffizienten Systeme noch weiter optimieren', sagte Helmut Vogler, Vice President und General Manager der RF Power Business Unit von Infineon. 'Der neueste LDMOS-Prozess wurde speziell entwickelt, um überragende Leistungsvorteile für die aktuelle Generation von MCPA (Multi Carrier Power Amplifier) und Digital Pre-Distortion-Systeme zu bieten.' Der neue Prozess erlaubt die Produktion von Transistoren, die mit bis zu 3,8 GHz betrieben werden und damit die Frequenzbänder für die drahtlosen Zugangstechnologien WiMAX (Worldwide Interoperability for Microwave Acess) und IEEE 802.16 abdecken. Mit dem bisherigen Prozess wurde lediglich ein Wert von 2,7 GHz erreicht. Die Leistungsdichte bzw. die produzierte Leistung für eine bestimmte Halbleiterfläche liegt ebenfalls um 25 Prozent höher, sodass ein leistungsfähigeres System bei gleichzeitig geringerer Baugröße konzipiert werden kann. Dadurch wird die Board-Fläche der gedruckten Schaltung für Leistungsverstärker reduziert. Neben dem Performance-Gewinn bietet der neue Prozess eine um drei Prozent höhere Linearität im Backed-off-Betrieb gegenüber den Produkten der aktuellen Generation. Dadurch reduzieren sich die Anzahl der erforderlichen Bauteile, der Stromverbrauch sowie die Kühlanforderungen für Mobilfunk-Basisstationen. Die mit dem neuen Prozess hergestellten Bauelemente werden in Low-Gold, Copper-Based Plastic Open Cavity Packages verfügbar sein, wodurch einerseits hervorragende thermische Eigenschaften und RF-Performance erreicht werden und andererseits die Gesamtsystemkosten reduziert werden. Die ersten Produkte, die mit dem neuen Prozess hergestellt werden, sind voraussichtlich ab Ende 2006 verfügbar und ermöglichen die Entwicklung kleinerer, energiesparender Leistungsverstärker, die Betreiber von Mobilfunknetzen für den Aufbau von Basisstationen zur Unterstützung moderner Kommunikationsdienste brauchen.

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